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参数资料
| 型号： | HYMD18M645AL6-K |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| 封装： | 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | HYMD18M645AL6-K |
HYMD18M645A(L)6-K/H/L
Rev. 0.5/May. 02
7
DC CHARACTERISTICS I (TA=0 to 70oC, Voltage referenced to VSS = 0V)
Note :
1. VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not tested under VIN =0V
2. DOUT is disabled, VOUT=0 to 2.7V
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage
Current
CMD, Add, /CKE, /CS
ILI
-8
8
uA
1
CK0, /CK0, CK1, /CK1
-8
8
CK2, /CK2
00
Output Leakage Current
ILO
-5
5
uA
2
Output High Voltage
VOH
VTT + 0.76
-
V
IOH = -15.2mA
Output Low Voltage
VOL
-VTT - 0.76
V
IOL = +15.2mA
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| HYMD18M725A6-K | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SDRAM|DDR|8MX72|CMOS|DIMM|200PIN|PLASTIC |
| HYMD18M725A6-L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SDRAM|DDR|8MX72|CMOS|DIMM|200PIN|PLASTIC |
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