- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0116165 (IBM Microeletronics) 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0116165 |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 25/31页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | IBM0116165 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页
IBM0116165
IBM0116165B IBM0116165P
1M x 16 12/8 EDO DRAM
IBM0116165M
28H4723
SA14-4225-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 25 of 31
Hidden Refresh Cycle (Read)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Address
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
D
IN
Row
Column
Valid Data Out
t
RAS
t
RAS
t
RP
t
RC
t
CRP
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
ASR
t
RAD
t
RCS
t
DZC
t
OED
t
OEZ
t
CDD
t
CLZ
t
CAC
t
RAC
Hi-Z
Hi-Z
: “H” or “L”
t
RP
t
CHR
RSH
t
RCD
t
t
RRH
t
WRP
t
WRH
t
RC
t
DZO
t
RAL
t
OFF
UCAS
LCAS
t
OEA
t
ORD
t
AA
Hi-Z
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116165B | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165M | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116165P | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| IBM0116405 | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405B | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116165BJ3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0218 |
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。