参数资料
型号: IBM0117405M
厂商: IBM Microeletronics
英文描述: 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带22条地址线,其中11条为行地址选通,11条为列地址选通))
中文描述: 4米× 4 11/11 EDO公司的DRAM(1,600位动态随机存储器(超页面模式读写并带22条地址线,其中11条为行地址选通,11条为列地址选通))
文件页数: 18/31页
文件大小: 545K
代理商: IBM0117405M
IBM0117405
IBM0117405B
4M x 4 11/11 EDO DRAM
IBM0117405M
IBM0117405P
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 18 of 31
28H4726
SA14-4228-05
Revised 4/97
EDO (Hyper Page) Mode Read Cycle (WE Control)
t
RP
Data Out 1
Data Out 2
OE
WE
RAS
Row
Address
Column 1
Column 2
Column N
t
OEA
t
OEZ
t
CLZ
t
CAC
V
IH
V
IL
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
ASC
t
CAH
t
CAH
t
CAH
D
OUT
t
RASP
t
CPRH
t
CRP
t
RSH
t
HCAS
t
HCAS
t
HPC
t
ASC
t
CSH
t
RAD
t
RCS
t
CAC
t
CPA
t
CPA
t
AA
t
AA
t
RAC
t
AA
Hi-Z
: “H” or “L”
t
RAL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
t
RCD
t
CP
t
CP
t
RRH
t
RCH
t
CAC
Data Out N
t
OFF
CAS
t
OES
t
HCAS
t
WPZ
t
WPZ
t
RCH
t
RCS
t
RCS
t
RCH
t
WHZ
t
WHZ
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料
PDF描述
IBM0117405P 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带22条地址线,其中11条为行地址选通,11条为列地址选通))
IBM0117805 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
IBM0117805B 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
IBM0117805M 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
IBM0117805P 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
相关代理商/技术参数
参数描述
IBM0118160J3F60 制造商:IBM 功能描述:51H057
IBM0118165PT3E6R 制造商:IBM 功能描述:*
IBM011816DT3D60 制造商:IBM 功能描述:28H4998
IBM0164405BT3D50 制造商:IBM 功能描述:20L9262
IBM0165165PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3120