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参数资料
| 型号： | IBM0117405M |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 11/11 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 3/31页 |
| 文件大小： | 545K |
| 代理商： | IBM0117405M |
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IBM0117405
IBM0117405B IBM0117405P
4M x 4 11/11 EDO DRAM
IBM0117405M
28H4726
SA14-4228-05
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Block Diagram
11
11
11
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4
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4
4
4
A1
A2
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A4
A5
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A7
A8
A9
A10
2048
2048 x 4
CAS
RAS
WE
OE
I/O0
I/O3
I/O1
I/O2
Vcc
Vss
&
Regulator
(to OCDs)
V
DD
(internal)
CAS Clock
Generator
Column Address
Buffer (11)
A0
Refresh Controller
Refresh Counter
(11)
Row Address
Buffer (11)
RAS Clock
Generator
R
Column Decoder and I/O Gate
Sense Amplifiers
Memory Array
2048 x 2048 x 4
Data In Buffer
Data Out Buffer
(5.0 Volt version)
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0117405P | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117805 | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805B | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805M | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805P | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0118160J3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H057 |
| IBM0118165PT3E6R | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
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