- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0117805 (IBM Microeletronics) 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0117805 |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 200万× 8 11/10 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 14/31页 |
| 文件大小： | 559K |
| 代理商： | IBM0117805 |
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IBM0117805
IBM0117805B
2M x 8 11/10 EDO DRAM
IBM0117805M
IBM0117805P
IBM Corporation. All rights reserved.
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28H4724
SA14-4221-06
Revised 4/97
Write Cycle (Delayed Write)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Address
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
OE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
D
IN
Row
Column
t
RAS
t
RP
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RC
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CAS
t
CSH
t
CRP
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RAH
t
ASC
t
CAH
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ASR
t
RAD
t
RWL
: “H” or “L”
t
WP
t
CWL
Valid Data In
Hi-Z
Hi-Z
t
DZO
t
OEZ
t
CLZ
t
DS
t
RCD
t
DH
t
RCS
*
*t
OEH
greater than or equal to t
CWL
Hi-Z
t
RSH
t
DZC
t
OEA
t
OEH
t
OED
CAS
t
WRP
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0117805B | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805M | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805P | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160 | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160B | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0118160J3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H057 |
| IBM0118165PT3E6R | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
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