型号: | IBM0117805 |
厂商: | IBM Microeletronics |
英文描述: | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
中文描述: | 200万× 8 11/10 EDO公司的DRAM(1,600位动态随机存储器(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
文件页数: | 14/31页 |
文件大小: | 559K |
代理商: | IBM0117805 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IBM0117805B | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
IBM0117805M | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
IBM0117805P | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
IBM0118160 | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM(带20条地址线,其中10条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
IBM0118160B | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM(带20条地址线,其中10条为行地址选通,10条为列地址选通)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IBM0118160J3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H057 |
IBM0118165PT3E6R | 制造商:IBM 功能描述:* |
IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |