参数资料
型号: IBM0117805
厂商: IBM Microeletronics
英文描述: 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
中文描述: 200万× 8 11/10 EDO公司的DRAM(1,600位动态随机存储器(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
文件页数: 17/31页
文件大小: 559K
代理商: IBM0117805
IBM0117805
IBM0117805B IBM0117805P
2M x 8 11/10 EDO DRAM
IBM0117805M
28H4724
SA14-4221-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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EDO (Hyper Page) Mode Read Cycle (OE Control)
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RP
Data Out 1
Data Out 2
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Address
Column 1
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OEP
t
OES
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料
PDF描述
IBM0117805B 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
IBM0117805M 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
IBM0117805P 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM(超页面模式读写并带21条地址线,其中11条为行地址选通,10条为列地址选通))
IBM0118160 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM(带20条地址线,其中10条为行地址选通,10条为列地址选通))
IBM0118160B 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM(带20条地址线,其中10条为行地址选通,10条为列地址选通))
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参数描述
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IBM0165165PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3120