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参数资料
| 型号： | IBM0117805P |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 200万× 8 11/10 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 11/31页 |
| 文件大小： | 559K |
| 代理商： | IBM0117805P |
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IBM0117805
IBM0117805B IBM0117805P
2M x 8 11/10 EDO DRAM
IBM0117805M
28H4724
SA14-4221-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Page 11 of 31
Refresh Cycle
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
CSR
CAS Setup Time
(CAS before RAS Refresh Cycle)
5
—
5
—
ns
t
CHR
CAS Hold Time
(CAS before RAS Refresh Cycle)
10
—
10
—
ns
t
WRP
WE Setup Time
(CAS before RAS Refresh Cycle)
10
—
10
—
ns
t
WRH
WE Hold Time
(CAS before RAS Cycle)
10
—
10
—
ns
t
RPC
RAS Precharge to CAS Hold Time
5
—
5
—
ns
Self Refresh Cycle
- Low Power Version Only
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
RASS
RAS Pulse Width
During Self Refresh Cycle
100
—
100
—
μ
s
1
t
RPS
RAS Precharge Time
During Self Refresh Cycle
89
—
104
—
ns
1
t
CHS
CAS Hold Time From RAS Rising
During Self Refresh Cycle
-50
—
-50
—
ns
1, 2
t
CHD
CAS Hold Time From RAS Falling
During Self Refresh Cycle
350
—
350
—
μ
s
1, 2
1. When using Self Refresh mode, the following refresh operations must be performed to ensure proper DRAM operation:
If row addresses are being refreshed in an EVENLY DISTRIBUTED manner over the refresh interval using CBR refresh cycles,
then only one CBR cycle must be performed immediately after exit from Self Refresh.
If row addresses are being refreshed in any other manner (ROR- Distributed/Burst; or CBR-Burst) over the refresh interval, then a
full set of row refreshes must be performed immediately before entry to and immediately after exit from Self Refresh.
2. If t
RASS
> t
CHD
(min) then t
CHD
applies. If t
RASS
≤
t
CHD
(min) then t
CHS
applies.
Refresh
Symbol
Parameter
-50
-60
Units
Notes
Min.
Max.
Min.
Max.
t
REF
Refresh Period
SP version
—
32
—
32
ms
1
LP version
—
128
—
128
1. 2048 cycles.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0118160 | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160B | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160M | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160P | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118165 | 1M x 16 10/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0118160J3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H057 |
| IBM0118165PT3E6R | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
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