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参数资料
| 型号： | IBM0117805P |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 200万× 8 11/10 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 4/31页 |
| 文件大小： | 559K |
| 代理商： | IBM0117805P |
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IBM0117805
IBM0117805B
2M x 8 11/10 EDO DRAM
IBM0117805M
IBM0117805P
IBM Corporation. All rights reserved.
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28H4724
SA14-4221-06
Revised 4/97
Truth Table
Function
RAS
CAS
WE
OE
Row
Address
Col
Address
I/O0 - I/O7
Standby
H
H
→
X
X
X
X
X
High Impedance
Read
L
L
H
L
Row
Col
Data Out
Early-Write
L
L
L
X
Row
Col
Data In
Delayed-Write
L
L
H
→
L
H
Row
Col
Data In
Read-Modify-Write
L
L
H
→
L
L
→
H
Row
Col
Data Out, Data In
EDO (Hyper Page) Mode
Read
1st Cycle
L
H
→
L
H
L
Row
Col
Data Out
2nd Cycle
L
H
→
L
H
L
N/A
Col
Data Out
EDO (Hyper Page) Mode
Write
1st Cycle
L
H
→
L
L
X
Row
Col
Data In
2nd Cycle
L
H
→
L
L
X
N/A
Col
Data In
EDO (Hyper Page) Mode
Read-Modify-Write
1st Cycle
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
Row
Col
Data Out, Data In
2nd Cycle
L
H
→
L
H
→
L
L
→
H
N/A
Col
Data Out, Data In
RAS-Only Refresh
L
H
X
X
Row
N/A
High Impedance
CAS-Before-RAS Refresh
H
→
L
L
H
X
X
N/A
High Impedance
Hidden Refresh
Read
L
→
H
→
L
L
H
L
Row
Col
Data Out
Write
L
→
H
→
L
L
L
→
H
X
Row
Col
Data In
Self Refresh (LP version only)
H
→
L
L
L
H
X
X
X
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0118160 | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160B | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160M | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160P | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118165 | 1M x 16 10/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0118160J3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H057 |
| IBM0118165PT3E6R | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
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