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2SD1020-T-HE

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2SD1020-T-HE 技术参数
  • 2SD1012G-SPA-AC 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):280 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:2,500 2SD1012G-SPA 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):280 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:500 2SD1012F-SPA-AC 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:2,500 2SD1012F-SPA 功能描述:TRANS NPN 15V 0.7A SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):80mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:500 2SD0968ARL 功能描述:TRANS NPN 120V 0.5A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):130 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SD1060S-JKH-1E 2SD106AI-17 UL 2SD11190RL 2SD1119GRL 2SD11490RL 2SD11490SL 2SD11990S 2SD1207S 2SD1207S-AE 2SD1207T 2SD1207T-AE 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP
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