APTGLQ300H65G

配单专家企业名单

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说明
操作

APTGLQ300H65G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

APTGLQ300H65G
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

APTGLQ300H65G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

您是不是要找： APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APTGLQ300H65G 技术参数

APTGLQ300A120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:17.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ25H120T2G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.43nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGLQ25H120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.43nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ200HR120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop 1200V 300A 1000W Through Hole SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:* 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，160A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:通孔封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ200H65G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:270A 功率 - 最大值:680W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V, 200A 电流 - 集电极截止（最大值）:75μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G