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APTGLQ300SK120G-MODULE

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APTGLQ300SK120G-MODULE PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTGLQ300SK120G-MODULE 技术参数

APTGLQ300SK120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:降压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:17.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ300H65G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:18.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ300A120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:17.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ25H120T2G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.43nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGLQ25H120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.42V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.43nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G