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APTGLQ50H65T3

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    APTGLQ50H65T3G

    APTGLQ50H65T3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

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  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGLQ50H65T3G
    APTGLQ50H65T3G

    APTGLQ50H65T3G

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:王女士

    电话:13969210552

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505(京北通宇)

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  • 4500

  • MICROCHIP

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  • 近两年

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  • APTGLQ50H65T3
    APTGLQ50H65T3

    APTGLQ50H65T3

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

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APTGLQ50H65T3 技术参数
  • APTGLQ50H65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ50DDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,50A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 标准包装:1 APTGLQ40HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ40H120T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ40DDA120CT3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双路升压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,40A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG
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