APTGLQ600A65T6G

配单专家企业名单

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价格
说明
操作

APTGLQ600A65T6G
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

APTGLQ600A65T6G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
243
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTGLQ600A65T6G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

您是不是要找： APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APTGLQ600A65T6G 技术参数

APTGLQ50VDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双路升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGLQ50TL65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGLQ50H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3F 标准包装:1 APTGLQ50H65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ50DDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:双路升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:175W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块标准包装:1 APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G