APTGS10X120BTPG

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APTGS10X120BTPG 技术参数

APTGLQ80HR120CT3G 功能描述:PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，80A 电流 - 集电极截止（最大值）:150μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGLQ75H65T1G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ75H120TG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGLQ75H120T3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGLQ600A65T6G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1200A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:600μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:36.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G APTGT100DA60TG APTGT100DDA60T3G APTGT100DH120TG APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G