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APTGT150DA120T

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    APTGT150DA120TG

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP4

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT150DA120T
    APTGT150DA120T

    APTGT150DA120T

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 8000

  • isc,iscsemi

  • N93X40-9L

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

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  • 1
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APTGT150DA120T 技术参数
  • APTGT150DA120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150DA120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 700W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:700W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):10.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT150A60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150A60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 600W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:600W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT150A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT150DU120TG APTGT150DU170G APTGT150DU60TG APTGT150H120G APTGT150H170G APTGT150H60TG APTGT150SK120D1G APTGT150SK120G APTGT150SK120TG APTGT150SK170D1G APTGT150SK170G APTGT150SK60T1G APTGT150SK60TG APTGT150TA60PG APTGT150TDU60PG APTGT150TL60G APTGT200A120D3G APTGT200A120G
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