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APTGT150H120

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  • APTGT150H120G
    APTGT150H120G

    APTGT150H120G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP6

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT150H120
    APTGT150H120

    APTGT150H120

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 9000

  • isc,iscsemi

  • S108X62-12L

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

  • APTGT150H120G
    APTGT150H120G

    APTGT150H120G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT150H120G
    APTGT150H120G

    APTGT150H120G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT150H120G
    APTGT150H120G

    APTGT150H120G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-837892031333298700517727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • Microsemi

  • 原厂原装

  • 18+

  • -

  • 原装正品，优势供应

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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150H120 技术参数
  • APTGT150DU60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150DU170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:13.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150DU120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双，共源 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150DH60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150SK60TG APTGT150TA60PG APTGT150TDU60PG APTGT150TL60G APTGT200A120D3G APTGT200A120G APTGT200A170D3G APTGT200A602G APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G APTGT200DU120G
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