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APTGT150SK120D3G

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  • APTGT150SK120D3G
    APTGT150SK120D3G

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 170

  • APT

  • 150A/1200V/IGBT+DIOD

  • 2024+

  • -
  • 全新现货价格优势

  • APTGT150SK120D3G
    APTGT150SK120D3G

    APTGT150SK120D3G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 98653

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APTGT150SK120D3G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
APTGT150SK120D3G 技术参数
  • APTGT150SK120D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 220A 700W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:700W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):4mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):10.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D1 供应商器件封装:D1 标准包装:1 APTGT150H60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150H170G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1700V 250A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):250A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):13.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):220A 功率 - 最大值:690W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):10.7nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150DU60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:双,共源 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT200A120D3G APTGT200A120G APTGT200A170D3G APTGT200A602G APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G APTGT200DU120G APTGT200DU60TG APTGT200H120G APTGT200H60G APTGT200SK120D3G
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