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BGA-8

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BGA-8 技术参数
  • BGA7X10-ZIF-ADPT 功能描述:IC Socket Adapter BGA To DIP 制造商:sandisk 系列:- 零件状态:过期 转换自(适配器端):BGA 转换至(适配器端):DIP 引脚数:32 间距 - 配接:- 触头表面处理 - 配接:- 安装类型:- 端接:- 间距 - 柱:- 触头表面处理 - 柱:- 外壳材料:- 板材料:- 端接柱长度:- 材料可燃性等级:- 特性:- 额定电流:- 工作温度:- 触头材料 - 配接:- 触头材料 - 柱:- 触头表面处理厚度 - 配接:- 触头表面处理厚度 - 柱:- 标准包装:1 BGA7X10-DIP32-ADPT 功能描述:IC Socket Adapter BGA To DIP 制造商:sandisk 系列:- 零件状态:过期 转换自(适配器端):BGA 转换至(适配器端):DIP 引脚数:32 间距 - 配接:- 触头表面处理 - 配接:- 安装类型:- 端接:- 间距 - 柱:- 触头表面处理 - 柱:- 外壳材料:- 板材料:- 端接柱长度:- 材料可燃性等级:- 特性:- 额定电流:- 工作温度:- 触头材料 - 配接:- 触头材料 - 柱:- 触头表面处理厚度 - 配接:- 触头表面处理厚度 - 柱:- 标准包装:1 BGA7M1N6E6327XTSA1 功能描述:RF Amplifier IC LTE 1.8GHz ~ 2.2GHz TSNP-6-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 频率:1.8GHz ~ 2.2GHz P1dB:-7dBm 增益:13dB 噪声系数:0.6dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.4mA 测试频率:- 封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:TSNP-6-2 标准包装:1 BGA7L1N6E6327XTSA1 功能描述:RF Amplifier IC LTE 728MHz ~ 960MHz TSNP-6-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 频率:728MHz ~ 960MHz P1dB:-10dBm 增益:13.3dB 噪声系数:0.9dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.4mA 测试频率:- 封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:TSNP-6-2 标准包装:1 BGA7L1BN6E6327XTSA1 功能描述:IC RF FRONT END LNA 6TSNP 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 频率:716MHz ~ 960MHz P1dB:- 增益:13.6dB 噪声系数:1.8dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:4.9mA 测试频率:960MHz 标准包装:15,000 BGA8V1BN6E6327XTSA1 BGA924N6BOARDTOBO1 BGA924N6E6327XTSA1 BGA925L6E6327XTSA1 BGA9X12-DIP32-ADPT BGA9X12-ZIF-ADPT BGA-BH-30 BGA-CSP-UG BGA-NA BGA-SPAT-L BGA-SPAT-S BGA-SPY BGAU1A10E6327XTSA1 BGAV1A10E6327XTSA1 BGB 420 E6327 BGB 540 E6327 BGB 707L7ESD E6327 BGB 741L7ESD E6327
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