BGA7M1N6+E6327

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BGA7M1N6+E6327 技术参数

BGA7L1N6E6327XTSA1 功能描述:RF Amplifier IC LTE 728MHz ~ 960MHz TSNP-6-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售频率:728MHz ~ 960MHz P1dB:-10dBm 增益:13.3dB 噪声系数:0.9dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.4mA 测试频率:- 封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:TSNP-6-2 标准包装:1 BGA7L1BN6E6327XTSA1 功能描述:IC RF FRONT END LNA 6TSNP 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售频率:716MHz ~ 960MHz P1dB:- 增益:13.6dB 噪声系数:1.8dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:4.9mA 测试频率:960MHz 标准包装:15,000 BGA7H1N6E6327XTSA1 功能描述:RF Amplifier IC LTE 2.3GHz ~ 2.69GHz TSNP-6-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售频率:2.3GHz ~ 2.69GHz P1dB:-8dBm 增益:12.5dB 噪声系数:0.6dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.3 V 电流 - 电源:4.7mA 测试频率:- 封装/外壳:6-XFDFN 供应商器件封装:TSNP-6-2 标准包装:1 BGA7H1BN6E6327XTSA1 功能描述:IC RF FRONT END LNA 6TSNP 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售频率:1.805GHz ~ 2.69GHz P1dB:- 增益:11dB 噪声系数:2.7dB RF 类型:LTE 电压 - 电源:1.5 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:4.3mA 测试频率:2.69GHz 标准包装:15,000 BGA777N7E6327XTSA1 功能描述:RF Amplifier IC UMTS 2.3GHz ~ 2.7GHz TSNP-7-1 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率:2.3GHz ~ 2.7GHz P1dB:- 增益:16dB 噪声系数:1.2dB RF 类型:UMTS 电压 - 电源:2.6 V ~ 3 V 电流 - 电源:4.2mA 测试频率:2.3GHz ~ 2.7MHz 封装/外壳:6-XFDFN 裸露焊盘供应商器件封装:TSNP-7-1 标准包装:1 BGA8H1BN6E6327XTSA1 BGA8L1BN6E6327XTSA1 BGA8U1BN6E6327XTSA1 BGA8V1BN6E6327XTSA1 BGA924N6BOARDTOBO1 BGA924N6E6327XTSA1 BGA925L6E6327XTSA1 BGA9X12-DIP32-ADPT BGA9X12-ZIF-ADPT BGA-BH-30 BGA-CSP-UG BGA-NA BGA-SPAT-L BGA-SPAT-S BGA-SPY BGAU1A10E6327XTSA1 BGAV1A10E6327XTSA1 BGB 420 E6327