DFE252010F-R33M_代理商_批发/采购【买卖IC网】DFE252010F-R33M

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DFE252010F-R33M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFE252010F-R33M=P2
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
8000
MURATA/村田
SMD
23+
-
原厂原装正品现货

DFE252010F-R33M-P2
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：雷小姐
电话：0755-2391507123915070（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
65200
MURATA/村田
SMD
2020+
-
大中華區授權代理可接受訂貨

DFE252010F-R33M=P2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
原厂品牌
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DFE252010F-R33M=P2
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
5686
Murata Electronics North
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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DFE252010F-R33M 技术参数

DFE252010F-8R2M=P2 功能描述:8.2μH Shielded Inductor 1A 520 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:8.2μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:1.55A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:520 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010F-6R8M=P2 功能描述:6.8μH Shielded Inductor 1.1A 420 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:1.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:420 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010F-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.4A 240 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:2.2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:240 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010F-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Inductor 1.6A 170 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.6A 电流 - 饱和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:170 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010F-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.3A 97 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:3.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:97 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2 DFE252010P-R47M=P2 DFE252010P-R68M=P2 DFE252010R-H-1R0M=P2 DFE252010R-H-1R5M=P2 DFE252010R-H-2R2M=P2 DFE252010R-H-4R7M=P2 DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-1R0M=P2 DFE252012F-1R5M=P2 DFE252012F-2R2M=P2 DFE252012F-3R3M=P2 DFE252012F-4R7M=P2 DFE252012F-6R8M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-R33M=P2 DFE252012F-R47M=P2

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