STH18NB40_代理商_批发/采购【买卖IC网】STH18NB40

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STH18NB40
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
S
TO
22+
-
十年配单，只做原装

STH18NB40FI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：欧阳先生
电话：13714291754
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
TO-3P
10+
-
原装现货优势库存

STH18NB40FI
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
TO-3PF
2024+
-
国产品牌，可替代原装

STH18NB40FI
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9885
to
14+
-
绝对公司原装现货

STH18NB40FI
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
1163
ST
TO-3P
2024+
-
一级代理商原装现货

STH18NB40
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
ST
TO-247
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STH18NB40
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
ST/西门子
TO
05无铅
-
假一罚十，百分百原装正品

STH18NB40FI
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST MICROELECTRONICS SEMI
NULL
NULL
-
假一罚十，百分百原装正品

STH18NB40FI
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-3PF
15+
-
原装正品，假一罚十

STH18NB40FI
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
21016
ST/意法
TO-3PF
22+
-

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1

您是不是要找： STH-19 STH2 STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET

STH18NB40 技术参数

STH185N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F3 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH185N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F3 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH180N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH180N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH-18 功能描述:KIT CONTAINING ALUMINUM STANDOFF 制造商:keystone electronics 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 STH245N75F3-6 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2 STH270N8F7-6 STH272N6F7-6AG STH275N8F7-2AG STH275N8F7-6AG STH290N4F6-2 STH290N4F6-2AG STH290N4F6-6 STH290N4F6-6AG