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STL-1-450-8-01

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  • STL-1-450-8-01
    STL-1-450-8-01

    STL-1-450-8-01

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Essentra Components

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共6条 
  • 1
STL-1-450-8-01 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TWIST LOK STANDOFF 1/2 X 1.09"
  • RoHS
  • 类别
  • 线缆,导线 - 管理 >> 线夹和夹具
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 100
  • 系列
  • TC
  • 类型
  • C-夹
  • 开口尺寸
  • 0.79" L x 0.54" W x 0.67" H(20.1mm x 13.7mm x 17.0mm)
  • 安装类型
  • 钉子
  • 材质
  • 聚丙烯
  • 颜色
STL-1-450-8-01 技术参数
  • STL140N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):145A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL140N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):140A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.75 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5900pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL140N4F7AG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:新产品 标准包装:1 STL13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):385 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL13N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):475 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):590pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2 STL16N65M2 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01 STL17N3LLH6 STL17N65M5 STL18N55M5 STL18N60M2 STL18N65M2 STL18N65M5 STL18NM60N STL190N4F7AG STL19N60DM2 STL19N60M2
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