STL20NF06LAG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STL20NF06LAG
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
DFN5X6
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STL20NF06LAG
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET NCH 60V 20A P...

STL20NF06LAG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
STMicroelectronics
PowerFlat?
17+
-
全新原装现货

STL20NF06LAG
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
ST
QFP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

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您是不是要找： STL20NM20N STL210N4F7AG STL21N65M5 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND

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STL20NF06LAG 技术参数

STL20N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL20DN10F7 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:408pF @ 50V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL19N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12.5A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.3A（Ta），12.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1240pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL19N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL190N4F7AG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:新产品标准包装:1 STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2 STL24N65M2 STL24NM60N STL-250-3-01 STL-250-8-01 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5