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STL22N60DM6

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    现货
  • 上海航霆电子技术有限公司
    上海航霆电子技术有限公司

    联系人：林生18701789587

    电话：0755-8374259418701789587

    地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层

  • 3000

  • STM

  • SOP

  • 19+

  • -

  • 全新原厂原装正品，只做原装，可开增票

  • STL22N60DM6
    STL22N60DM6

    STL22N60DM6

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：吴

    电话：18724450645

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质：营业执照

  • 100

  • STMICROELECTRONICS

  • NA

  • 23+

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  • 现货！就到京北通宇商城

  • STL22N60DM6
    STL22N60DM6

    STL22N60DM6

  • 天阳诚业科贸有限公司
    天阳诚业科贸有限公司

    联系人：洪宝宇

    电话：17862669251

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质：营业执照

  • 100

  • STMICROELECTRONICS

  • con

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  • 现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

  • STL22N60DM6
    STL22N60DM6

    STL22N60DM6

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人：丁皓鹏

    电话：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质：营业执照

  • 3000

  • STM

  • PowerFLAT-8

  • 19+

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  • 原装现货，假一赔百,支持实单

  • STL22N60DM6
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    STL22N60DM6

  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：13305449939

    地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质：营业执照

  • 100

  • STMICROELECTRONICS

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  • STL22N60DM6
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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质：营业执照

  • 3000

  • STM

  • PowerFLAT-8

  • 19+

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  • 瑞智芯 只有原装

  • STL22N60DM6
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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人：吴

    电话：18320850923

    地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 3000

  • STM

  • PowerFLAT-8

  • 19+

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  • 只做原装，型号齐全，价格优惠。

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STL22N60DM6 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
STL22N60DM6 技术参数
  • STL225N6F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:98nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:188W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 60A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6） 封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 STL220N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6600pF @ 25V 功率 - 最大值:4.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT（6x5） 标准包装:1 STL220N3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8650pF @ 25V 功率 - 最大值:113W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6） 标准包装:1 STL21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:179 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1950pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL20NM20N 功能描述:MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（6x5） 标准包装:1 STL-250-8-01 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2
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