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STL2500YET

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  • 功能描述
  • 汽车连接器 25 POS.STL CONN FOR
  • RoHS
  • 制造商
  • Amphenol SINE Systems
  • 产品
  • Contacts
  • 系列
  • ATP
  • 位置数量
  • 型式
  • Female
  • 安装风格
  • 端接类型
  • 触点电镀
  • Nickel
STL2500YET 技术参数
  • STL24NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.3A(Ta),16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):215 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1400pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1060pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL24N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):220 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1055pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL23NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):92A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 毫欧 @ 11.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2100pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3) 标准包装:1 STL23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2 STL33N65M2 STL-3-450-3-01 STL-3-450-8-01 STL34N65M5 STL-350-3-01 STL-350-8-01 STL35N15F3 STL35N6F3
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