STL22NF10

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 100V - 0.055 ohm - 22A PowerFLAT⑩ LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II MOSFET

STL22NF10 技术参数

STL22N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1345pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL225N6F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:98nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:188W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 60A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:1 STL220N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6600pF @ 25V 功率 - 最大值:4.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT（6x5）标准包装:1 STL220N3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:46nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8650pF @ 25V 功率 - 最大值:113W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:179 毫欧 @ 8.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1950pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2 STL33N65M2