您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 >

STW43NM60

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STW43NM60ND
    STW43NM60ND

    STW43NM60ND

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:13168731828

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋五楼515

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST/意法

  • 原厂封装

  • 21+

  • -
  • 全新进口原装

  • STW43NM60N
    STW43NM60N

    STW43NM60N

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-83789203多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO 247

  • ST

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • STW43NM60ND
    STW43NM60ND

    STW43NM60ND

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

  • 46700

  • ST

  • TO247

  • 21+

  • -
  • 一级代理现货库存,配单专家竭诚为您服务

  • STW43NM60N
    STW43NM60N

    STW43NM60N

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

    电话:13138879988

    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 570

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 5.1094 USD,szpoweric...

STW43NM60 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STW43NM60 技术参数
  • STW43NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):37A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 18.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4200pF @ 50V 功率 - 最大值:255W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW43N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):93 毫欧 @ 17A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):79 毫欧 @ 16.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):87 毫欧 @ 17A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW4102IQT 功能描述:电池管理 Dual USB G Gauge Based 13-bit ADC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 电池类型:Li-Ion 输出电压:5 V 输出电流:4.5 A 工作电源电压:3.9 V to 17 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:VQFN-24 封装:Reel STW48N60DM2 STW48N60M2 STW48N60M2-4 STW48NM60N STW4N150 STW5093CYLT STW50N65DM2AG STW50NB20 STW52NK25Z STW54NK30Z STW54NM65ND STW55NM50N STW55NM60N STW55NM60ND STW5630/JDR18BDR STW56N60DM2 STW56N60M2 STW56N60M2-4
配单专家

在采购STW43NM60进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STW43NM60产品风险,建议您在购买STW43NM60相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STW43NM60信息由会员自行提供,STW43NM60内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号