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参数资料
| 型号： | ICS841S012DKILF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FREQ SYNTHESIZER 56VFQFN |
| 标准包装： | 260 |
| 系列： | HiPerClockS™, PCI Express® (PCIe) |
| 类型： | 时钟/频率合成器，多路复用器 |
| PLL： | 是 |
| 主要目的： | PCI Express（PCIe） |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL，晶体 |
| 输出： | HCSL，LVCMOS，LVTTL |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 2:12 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/无 |
| 频率 - 最大： | 250MHz |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 56-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 56-VFQFP-EP（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
ICS841S012BKI REVISION A NOVEMBER 10, 2009
18
2009 Integrated Device Technology, Inc.
ICS841S012I Data Sheet
CRYSTAL-TO-0.7V DIFFERENTIAL HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER
3. Calculations and Equations.
The purpose of this section is to calculate power dissipation on the IC per HCSL output pair.
HCSL output driver circuit and termination are shown in
Figure 8.
HCSL is a current steering output which sources a maximum of 17mA of current per output. To calculate worst case on-chip power
dissipation, use the following equations which assume a 50
Ω load to ground.
The highest power dissipation occurs at maximum V
DD .
Power
= (V
DD_MAX – VOUT ) * IOUT,
since V
OUT
= I
OUT
* R
L
= (V
DD_MAX – IOUT * RL) * IOUT
= (3.465V – 17mA * 50
Ω) * 17mA
Total Power Dissipation per output pair = 44.5mW
FIGURE 8. HCSL DRIVER CIRCUIT ANDTERMINATION
VDD
VOUT
RL
50
Ω
IC
IOUT = 17mA
RREF =
475
Ω ± 1%
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| ICS841S012DKILFT | 功能描述:IC FREQ SYNTHESIZER 56VFQFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 专用 系列:HiPerClockS™, PCI Express® (PCIe) 标准包装:1,500 系列:- 类型:时钟缓冲器/驱动器 PLL:是 主要目的:- 输入:- 输出:- 电路数:- 比率 - 输入:输出:- 差分 - 输入:输出:- 频率 - 最大:- 电源电压:3.3V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） 供应商设备封装:28-SSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:93786AFT |
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| ICS841S01BGLFT | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:PCI EXPRESS⑩ CLOCK GENERATOR |
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