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参数资料
| 型号： | ICS841S012DKILF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FREQ SYNTHESIZER 56VFQFN |
| 标准包装： | 260 |
| 系列： | HiPerClockS™, PCI Express® (PCIe) |
| 类型： | 时钟/频率合成器，多路复用器 |
| PLL： | 是 |
| 主要目的： | PCI Express（PCIe） |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL，晶体 |
| 输出： | HCSL，LVCMOS，LVTTL |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 2:12 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/无 |
| 频率 - 最大： | 250MHz |
| 电源电压： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 56-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 56-VFQFP-EP（8x8） |
| 包装： | 托盘 |
ICS841S012BKI REVISION A NOVEMBER 10, 2009
16
2009 Integrated Device Technology, Inc.
ICS841S012I Data Sheet
CRYSTAL-TO-0.7V DIFFERENTIAL HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER
POWER CONSIDERATIONS
This section provides information on power dissipation and junction temperature for the ICS841S012I.
Equations and example calculations are also provided.
1. Power Dissipation.
The total power dissipation for the ICS841S012I is the sum of the core power plus the power dissipated in the load(s).
The following is the power dissipation for V
DD = 3.3V + 5% = 3.465V, which gives worst case results.
Core and HCSL Output Power Dissipation
The maximum I
DD current at 85° is 300mA. The HCSL output current (17mA per output pair) is included in this value. For power
considerations, this output current is treated separately from the core current, so for power calculations,
I
DD
= 300mA - 2 * 17mA = 266mA.
Power (core) = V
DD_MAX * (IDD + IDDA ) = 3.465V * (266mA + 20mA) = 991.0mW
Power (HCSL) = 44.5mW/Load Output Pair
If all outputs are loaded, the total power is 2 * 44.5mW = 89mW
LVCMOS Output Power Dissipation
Dynamic Power Dissipation at 200MHz (QB, QC)
Power (200MHz) = C
PD * Frequency * (VDDO)
2
= 4pF * 200MHz * (3.465V)2 = 9.6mW per output
Total Power (200MHz) = 9.6mW * 8 = 76.7mW
Dynamic Power Dissipation at 25MHz (REF_OUT)
Power (25MHz) = C
PD * Frequency * (VDDO)
2
= 4pF * 25MHz * (3.465V)2 = 1.2mW per output
Total Power (25MHz) = 1.2mW * 2 = 2.4mW
Total Power Dissipation
Total Power
= Power (core) + Power (HCSL) + Total Power (200MHz) + Total Power (25MHz)
= 991.0mW + 89mW + 76.7mW + 2.4mW
= 1159mW
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| ICS841S012DKILFT | 功能描述:IC FREQ SYNTHESIZER 56VFQFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 专用 系列:HiPerClockS™, PCI Express® (PCIe) 标准包装:1,500 系列:- 类型:时钟缓冲器/驱动器 PLL:是 主要目的:- 输入:- 输出:- 电路数:- 比率 - 输入:输出:- 差分 - 输入:输出:- 频率 - 最大:- 电源电压:3.3V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） 供应商设备封装:28-SSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:93786AFT |
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| ICS841S01BGLF | 功能描述:IC CLK GENERATOR PLL 16-TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 专用 系列:HiPerClockS™, PCI Express® (PCIe) 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/频率发生器，多路复用器 PLL:是 主要目的:存储器，RDRAM 输入:晶体 输出:LVCMOS 电路数:1 比率 - 输入:输出:1:2 差分 - 输入:输出:无/是 频率 - 最大:400MHz 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:16-TSSOP 包装:Digi-Reel® 其它名称:296-6719-6 |
| ICS841S01BGLFT | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:PCI EXPRESS⑩ CLOCK GENERATOR |
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