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参数资料
| 型号： | IDT6116SA20TPGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 24-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 24-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 6116SA20TPGI |
IDT6116SA/LA
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
Low V CC Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
V CC
t CDR
4.5V
V DR ≥ 2V
4.5V
t R
CS
V IH
V DR
V IH
3089 drw 03
,
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
See Figures 1 and 2
3089 tbl 11
DATA OUT
5V
480 ?
DATA OUT
5V
480 ?
255 ?
30pF*
,
255 ?
5pF*
,
Figure 1. AC Test Load
3089 drw 04
*Including scope and jig.
5
6.42
3089 drw 05
Figure 2. AC Test Load
(for t OLZ , t CLZ , t OHZ , t WHZ , t CHZ & t OW )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM25DRKH | CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD |
| AMM31DRMT | CONN EDGECARD 62POS .156 WW |
| HMC44DRAI-S734 | CONN EDGECARD 88POS .100 R/A PCB |
| ESC43DTEN | CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET |
| ESC43DTEH | CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT6116SA20TPI | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT6116SA20Y | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116SA20YB | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116SA20YI | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116SA25D | 制造商:IDT 制造商全称:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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