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参数资料
| 型号： | IDT6116SA20TPGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 24-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 24-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 6116SA20TPGI |
IDT6116SA/LA
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1,3)
t RC
ADDRESS
t AA
OE
t OE
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
t OH
t OHZ (5)
CS
t OLZ (5)
t ACS
t CHZ
(5)
DATA OUT
t CLZ
(5)
DATA
VALID
V CC
Supply
I CC
t PU
Currents
I SB
t PD
,
3089 drw 06
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1,2,4)
t RC
ADDRESS
t OH
t AA
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
,
3089 drw 07
Timing Waveform of Read Cycle No. 3 (1,3,4)
CS
DATA OUT
t CLZ (5)
t ACS
t CHZ
DATA VALID
(5)
,
3089 drw 08
NOTES:
1. WE is HIGH for Read cycle.
2. Device is continously selected, CS is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with CS transition LOW.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±500mV from steady state.
7
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT6116SA20TPI | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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