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参数资料
| 型号： | IDT7014S12JG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36KBIT 12NS 52PLCC |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 36K（4K x 9） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 52-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 52-PLCC（19x19） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7014S12JG |
IDT7014S/L
High-Speed 4K x 9 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
& Industrial
Unit
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1,2)
Grade Ambient GND Vcc
V TERM (2)
Terminal Voltage
-0.5 to +7.0
V
Temperature
with Respect
to GND
Commercial
0 O C to +70 O C
0V
5.0V + 10%
V TERM (2)
T BIAS
Terminal Voltage
Temperature
-0.5 to +V CC
-55 to +125
V
o
C
Industrial
NOTES:
-40 O C to +85 O C
0V
5.0V + 10%
2528 tbl 02
Under Bias
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
T STG
Storage
-65 to +150
o
C
Temperature
I OUT
DC Output
50
mA
Current
2528 tbl 01
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
Recommended DC Operating
Conditions
-0.5
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 10%.
Symbol
V CC
GND
V IH
V IL
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
Min.
4.5
0
2.2
(1)
Typ.
5.0
0
____
____
Max.
5.5
0
6.0 (2)
0.8
Unit
V
V
V
V
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10%.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V CC = 5.0V ± 10%)
7014S
2528 tbl 03
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
V OUT = 0V to V CC
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At V CC < 2.0V input leakages are undefined.
3
6.42
2528 tbl 04
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PDF描述 |
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