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参数资料
| 型号： | IDT7014S12JG |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 36KBIT 12NS 52PLCC |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 36K（4K x 9） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 52-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 52-PLCC（19x19） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7014S12JG |
IDT7014S/L
High-Speed 4K x 9 Dual-Port Static RAM
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage
Industrial and Commercial Temperature Ranges
7014S12
Com'l Only
7014S15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
12
____
____
3
____
12
8
____
15
____
____
3
____
15
8
____
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
7
____
7
ns
2528 tbl 08a
7014S20
Com'l & Ind
7014S25
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
20
____
____
3
____
20
10
____
25
____
____
3
____
25
12
____
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time (1,2)
____
9
____
11
ns
2528 tbl 08b
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is determined by device characterization, but is not production tested.
5
6.42
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