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参数资料
| 型号： | IDT7024S20J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20NS 84PLCC |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K（4K x 16） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7024S20J |
IDT7024S/L
High-Speed 4K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (6)
7024X15
Com'l Only
7024X17
Com'l Only
7024X20
Com'l, Ind
& Military
7024X25
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S = V IH )
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Match
BUSY Access Time from Chip Enable Low
BUSY Disable Time from Chip Enable High
____
____
____
____
15
15
15
15
____
____
____
____
17
17
17
17
____
____
____
____
20
20
20
17
____
____
____
____
20
20
20
17
ns
ns
ns
ns
BUSY Disable to Valid Data
t APS
t BDD
t WH
Arbitration Priority Set-up Time
(3)
Write Hold After BUSY (5)
(2)
5
____
12
____
18
____
5
____
13
____
18
____
5
____
15
____
30
____
5
____
17
____
30
____
ns
ns
ns
BUSY INPUT TIMING (M/ S = V IH )
Write Hold After BUSY
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
(5)
0
12
____
____
0
13
____
____
0
15
____
____
0
17
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
t DDD
Write Pulse to Data Delay (1)
Write Data Valid to Read Data Delay (1)
____
____
30
25
____
____
30
25
____
____
45
35
____
____
50
35
ns
ns
2740 tbl 14a
7024X35
Com'l &
Military
7024X55
Com'l, Ind
& Military
7024X70
Military Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S = V IH )
Write Hold After BUSY
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
t APS
t BDD
t WH
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Match
BUSY Access Time from Chip Enable Low
BUSY Disable Time from Chip Enable High
Arbitration Priority Set-up Time (2)
BUSY Disable to Valid Data (3)
(5)
____
____
____
____
5
____
25
20
20
20
20
____
35
____
____
____
____
____
5
____
25
45
40
40
35
____
40
____
____
____
____
____
5
____
25
45
40
40
35
____
45
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BUSY INPUT TIMING (M/ S = V IH )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
25
____
____
0
25
____
____
0
25
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
Write Pulse to Data Delay (1)
____
60
____
80
____
95
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
45
____
65
____
80
ns
2740 tbl 14b
NOTES:
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of 0ns, t WDD – t WP (actual) or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port 'B' during contention with port 'A'.
5. To ensure that a write cycle is completed on port 'B' after contention with port 'A'.
6. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
13
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