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参数资料
| 型号： | IDT7024S20J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20NS 84PLCC |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K（4K x 16） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7024S20J |
IDT7024S/L
High-Speed 4K x 16 Dual-Port Static RAM
Capacitance (T A = +25°C, f = 1.0MHz) (1)
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Symbol
C IN
C OUT
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
9
10
Unit
pF
pF
NOTES:
2740 tbl 07
1. This parameter are determined by device characterization, but is not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and
output signals switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7024S
7024L
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (V CC = 5.0V ± 10%)
2740 tbl 08
7024X15
Com'l Only
7024X17
Com'l Only
7024X20
Com'l, Ind
& Military
7024X25
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
I SB1
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE = V IL ,
Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
CE R = CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
IND
COM'L
MIL &
S
L
S
L
S
L
S
170
170
____
____
20
20
____
310
260
____
____
60
50
____
170
170
____
____
20
20
____
310
260
____
____
60
50
____
160
160
160
160
20
20
20
290
240
370
320
60
50
90
155
155
155
155
16
16
16
265
220
340
280
60
50
80
mA
mA
IND
L
____
____
____
____
20
70
16
65
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
COM'L
MIL &
S
L
S
105
105
____
190
160
____
105
105
____
190
160
____
95
95
95
180
150
240
90
90
90
170
140
215
mA
IND
L
____
____
____
____
95
210
90
180
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V,
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
COM'L
MIL &
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
1.0
0.2
____
____
100
100
15
5
____
____
170
140
1.0
0.2
____
____
100
100
15
5
____
____
170
140
1.0
0.2
1.0
0.2
90
90
15
5
30
10
155
130
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
15
5
30
10
145
120
mA
mA
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = f MAX (3)
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
90
90
225
200
85
85
200
170
NOTES:
2740 tbl 09a
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. V CC = 5V, T A = +25°C, and are not production tested. I CC DC = 120mA (TYP.)
3. At f = f MAX , address and I/O' S are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions” of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
5
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