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参数资料
| 型号： | IDT7024S20J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20NS 84PLCC |
| 标准包装： | 15 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 64K（4K x 16） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7024S20J |
IDT7024S/L
High-Speed 4K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1) (con’t.)
(V CC = 5.0V ± 10%)
7024X35
Com'l &
Military
7024X55
Com'l, Ind
& Military
7024X70
Military Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
I SB1
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE = V IL ,
Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
CE R = CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
IND
COM'L
MIL &
S
L
S
L
S
L
S
150
150
150
150
13
13
13
250
210
300
250
60
50
80
150
150
150
150
13
13
13
250
210
300
250
60
50
80
____
____
140
140
____
____
10
____
____
300
250
____
____
80
mA
mA
IND
L
13
65
13
65
10
65
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
COM'L
MIL &
S
L
S
85
85
85
155
130
190
95
95
95
155
130
190
____
____
80
____
____
190
mA
IND
L
85
160
95
160
80
160
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V,
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
COM'L
MIL &
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
1.0
0.2
1.0
0.2
80
80
15
5
30
10
135
110
1.0
0.2
1.0
0.2
80
80
15
5
30
10
135
110
____
____
1.0
0.2
____
____
____
____
30
10
____
____
mA
mA
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = f MAX (3)
MIL &
IND
S
L
80
80
175
150
80
80
175
150
75
75
175
150
NOTES:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. V CC = 5V, T A = +25°C, and are not production tested.
3. At f = f MAX , address and I/O' S are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions”of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V) (4)
2740 tbl 09b
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
COM'L.
___
100
1500
t CDR
t R (3)
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
SEM > V HC
0
t RC (2)
___
___
___
___
ns
ns
2740 tbl 10
NOTES:
1. T A = +25°C, V CC = 2V, and are by device characterization but are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not tested.
4 . At Vcc < 2.0V, input leakages are not defined.
6.42
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