收藏本站
参数资料
型号： IDT7027L25G
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 12/19页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 512KBIT 25NS 108PGA
标准包装： 3
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 512K (32K x 16)
速度： 25ns
接口： 并联
电源电压： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 108-BSPGA
供应商设备封装： 108-PGA（30.48x30.48）
包装： 托盘
其它名称： 7027L25G
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (6)
7027X15
Com'l Only
7027X20
Com'l
7027X25
Com'l
7027X35
Com'l Only
7027X55
Com'l Only
& Ind
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
BUSY Disable to Valid Data
Write Hold After BUSY
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
t APS
t BDD
t WH
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Access Time from Chip Enable Low
BUSY Access Time from Chip Enable High
Arbitration Priority Set-up Time (2)
(3)
(5)
____
____
____
____
5
____
12
15
15
15
15
____
15
____
____
____
____
____
5
____
15
20
20
20
17
____
20
____
____
____
____
____
5
____
17
20
20
20
17
____
25
____
____
____
____
____
5
____
25
20
20
20
20
____
35
____
____
____
____
____
5
____
25
45
40
40
35
____
55
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
12
____
____
0
15
____
____
0
17
____
____
0
25
____
____
0
25
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
Write Pulse to Data Delay (1)
____
30
____
45
____
50
____
60
____
80
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
25
____
30
____
35
____
45
____
65
ns
NOTES:
3199 tbl 14
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of 0, t WDD – t WP (actual), or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
12
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT7028L20PFI IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT7034L20PFI IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP
IDT7035L20PFI IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP
IDT7037L20PFI IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP
IDT7038L15PFG IC SRAM 1024KBIT 15NS 120TQFP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT7027L25PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7027L25PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7027L25PFI 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR)
IDT7027L35G 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 108PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT7027L35PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*