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参数资料
| 型号： | IDT7027L25G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 25NS 108PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 108-BSPGA |
| 供应商设备封装： | 108-PGA（30.48x30.48） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7027L25G |
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of B USY Arbitration Controlled by CE Timing (M/ S = V IH ) (1,3)
ADDR "A"
and "B"
CE "A"
CE "B"
t APS (2)
t BAC
ADDRESSES MATCH
t BDC
BUSY "B"
3199 drw 13
Waveform of BUSY Arbitration Cycle Controlled by Address Match
Timing (M/ S = V IH ) (1)
ADDR "A"
ADDR "B"
t APS
(2)
ADDRESS "N"
MATCHING ADDRESS "N"
t BAA
t BDA
BUSY "B"
3199 drw 14
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisfied, the BUSY signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted.
3. Refer to Chip Enable Truth Table.
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (1)
7027X15
Com'l Only
7027X20
Com'l
7027X25
Com'l
7027X35
Com'l Only
7027X55
Com'l Only
& Ind
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
15
15
0
0
____
____
____
____
20
20
0
0
____
____
____
____
20
20
0
0
____
____
____
____
25
25
0
0
____
____
____
____
40
40
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
14
6.42
3199 tbl 15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT7027L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027L25PFI | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT7027L35G | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 108PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7027L35PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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