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参数资料
| 型号： | IDT7034L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 72K（4K x 18） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7034L20PFI |
IDT7034S/L
High-Speed 4K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (6)
7034X15
Com'l Only
7034X20
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Acce ss Time from Chip Enable Low
BUSY Acce ss Time from Chip Enable High
____
____
____
____
15
15
15
15
____
____
____
____
20
20
20
17
ns
ns
ns
ns
t APS
t BDD
t WH
Arbitration Priority Set-up Time
BUSY Disable to Valid Data (3)
Write Hold After BUSY (5)
(2)
5
____
12
____
18
____
5
____
15
____
30
____
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
12
____
____
0
15
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
t DDD
Write Pulse to Data Delay (1)
Write Data Valid to Read Data Delay (1)
____
____
30
25
____
____
45
30
ns
ns
4089 tbl 14
NOTES:
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Read With BUSY (M/ S = V IH )" or "Timing Waveform of Write With
Port-To-Port Delay (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of 0ns, t WDD – t WP (actual) or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on Port "B" during contention with Port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on Port "B" after contention with Port "A".
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
11
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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