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参数资料
| 型号： | IDT7034L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 72K（4K x 18） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7034L20PFI |
IDT7034S/L
High-Speed 4K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Truth Table II: Semaphore Read/Write Control (1)
Inputs
Outputs
CE
H
X
H
X
L
L
R/ W
H
H
↑
↑
X
X
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
I/O 9-17
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
____
____
I/O 0-8
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
____
____
Mode
Read Data in Semaphore Flag
Read Data in Semaphore Flag
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
Not Allowed
NOTE:
1. There are eight semaphore flags written to via I/O 0 and read from I/O 0 - I/O 17. These eight semaphores are addressed by A 0 - A 2 .
4089 tbl 03
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
& Industrial
Unit
Maximum Operating
Temperature and Supply Voltage (1)
Ambient
0 C to +70 C
V TERM (2)
Terminal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
V
Grade
Commercial
Temperature
O O
GND
0V
Vcc
5.0V + 10%
T BIAS
Temperature
-55 to +125
o
C
Industrial
-40 O C to +85 O C
0V
5.0V + 10%
Under Bias
4089 tbl 05
T STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
I OUT
DC Output
50
mA
Current
4089 tbl 04
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
Recommended DC Operating
Conditions
6.0
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20 mA for the period over V TERM > Vcc + 10%.
Symbol
V CC
GND
V IH
Parameter
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Min.
4.5
0
2.2
Typ.
5.0
0
____
Max.
5.5
0
(2)
Unit
V
V
V
Capacitance (T A = +25°C, f = 1.0MHz) (1)
Symbol Parameter Conditions (2) Max. Unit
V IL Input Low Voltage
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
-0.5 (1)
____
0.8
V
4089 tbl 06
C IN
C OUT
Input Capacitance
Output Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
9
10
pF
pF
2. V TERM must not exceed Vcc + 10%.
NOTES:
4089 tbl 07
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
4
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