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参数资料
型号： IDT7034L20PFI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 7/19页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP
标准包装： 3
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 72K（4K x 18）
速度： 20ns
接口： 并联
电源电压： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-LQFP
供应商设备封装： 100-TQFP（14x14）
包装： 托盘
其它名称： 7034L20PFI
IDT7034S/L
High-Speed 4K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
7034X15
Com'l Only
7034X20
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t ABE
t AOE
t OH
t LZ
t HZ
t PU
t PD
t SOP
t SAA
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time (3)
Byte Enable Access Time (3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
Output High-Z Time (1,2)
Chip Enable to Power Up Time (2)
Chip Disable to Power Down Time (2)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
15
____
____
____
____
3
3
____
0
____
10
____
____
15
15
15
10
____
____
10
____
15
____
15
20
____
____
____
____
3
3
____
0
____
10
____
____
20
20
20
12
____
____
12
____
20
____
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4089 tbl 12
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL , UB or LB = V IL , and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH or UB & LB = V IH , and SEM = V IL .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
Waveform of Read Cycles (5)
t RC
ADDR
t AA
(4)
CE
OE
t ACE
t AOE
(4)
(4)
UB , LB
R/ W
t ABE
(4)
DATA OUT
BUSY OUT
t LZ
(1)
VALID DATA
t BDD (3,4)
(4)
t OH
(2)
t HZ
4089 drw 05
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE , CE , LB , or UB .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, CE , OE , LB , or UB .
3. t BDD delay is required only in case where opposite port is completing a write operation to the same address location for simultaneous read operations BUSY has no
relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t ABE , t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
7
6.42
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