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参数资料
| 型号： | IDT7035L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 144K（8K x 18） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7035L20PFI |
IDT7035S/L
High-Speed 8K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (6)
7035X15
Com'l Only
7035X20
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
Write Hold After BUSY
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
t APS
t BDD
t WH
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Acce ss Time from Chip Enable Low
BUSY Acce ss Time from Chip Enable High
Arbitration Priority Set-up Time (2)
BUSY Disable to Valid Data (3)
(5)
____
____
____
____
5
____
12
15
15
15
15
____
18
____
____
____
____
____
5
____
15
20
20
20
17
____
30
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
12
____
____
0
15
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
Write Pulse to Data Delay (1)
____
30
____
45
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
25
____
30
ns
NOTES:
4088 tbl 14
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Read With BUSY (M/ S = V IH )" or "Timing Waveform of Write with
Port-To-Port Delay (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of 0ns, t WDD – t WP (actual) or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on Port "B" during contention with Port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on Port "B" after contention with Port "A".
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
11
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT7035S15PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7035S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7035S20PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7035S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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