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参数资料
| 型号： | IDT7035L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 144K（8K x 18） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7035L20PFI |
IDT7035S/L
High-Speed 8K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(L Version Only) (V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V) (4)
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
IND.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
COM'L.
___
100
1500
t R
t RC
t CDR (3)
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
SEM > V HC
0
(2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. T A = +25°C, V CC = 2V, not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by characterization, but is not production tested.
4. At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
4088 tbl 10
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR ≥ 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
4088 drw 03
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
5V
5V
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
5ns Max.
1.5V
DATA OUT
BUSY
893 ?
DATA OUT
893 ?
Output Reference Levels
1.5V
INT
347 ?
30pF
347 ?
5pF*
Output Load
Figures 1 and 2
4088 tbl 11
Figure 1. AC Output Test Load
6.42
4088 drw 04
Figure 2. Output Test Load
( for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
* including scope and jig.
.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7037L20PFI | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT7038L15PFG | IC SRAM 1024KBIT 15NS 120TQFP |
| IDT7052L20G | IC SRAM 16KBIT 20NS 108PGA |
| IDT7054L20G | IC SRAM 32KBIT 20NS 108PGA |
| IDT709089L9PF | IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7035L20PFI8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7035S15PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7035S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7035S20PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7035S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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