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参数资料
型号： IDT7035L20PFI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 7/19页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP
标准包装： 3
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 144K（8K x 18）
速度： 20ns
接口： 并联
电源电压： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-LQFP
供应商设备封装： 100-TQFP（14x14）
包装： 托盘
其它名称： 7035L20PFI
IDT7035S/L
High-Speed 8K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
7035X15
Com'l Only
7035X20
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
15
____
____
15
20
____
____
20
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
ns
t ABE
t AOE
t OH
Byte Enable Access Time (3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
____
____
3
15
10
____
____
____
3
20
12
____
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
ns
Semaphore Flag Update Pulse (OE or SEM )
t PU
t PD
t SOP
Chip Enable to Power Up Time (2)
Chip Disable to Power Down Time (2)
(3)
0
____
10
____
15
____
0
____
10
____
20
____
ns
ns
ns
t SAA
Semaphore Address Access Time
(3)
____
15
____
20
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL , UB or LB = V IL , and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH or UB & LB = V IH , and SEM = V IL .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
Waveform of Read Cycles (5)
t RC
ADDR
4088 tbl 12
CE
(4)
t AA
(4)
t ACE
OE
t AOE
(4)
UB , LB
R/ W
t ABE
(4)
DATA OUT
BUSY OUT
t LZ
(1)
VALID DATA
(4)
t OH
(2)
t HZ
t BDD
(3,4)
4088 drw 05
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE , CE , LB , or UB .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, CE , OE , LB , or UB .
3. t BDD delay is required only in case where opposite port is completing a write operation to the same address location for simultaneous read operations BUSY has
no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t ABE , t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
7
6.42
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PDF描述
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