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参数资料
| 型号： | IDT70T633S10BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T633S10BC8 |
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IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ = 3.3V/2.5V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V / GND to 2.5V
2ns Max.
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
Figure 1
5670 tbl 11
DATA OUT
50 Ω
50 Ω
1.5V/1.25
,
10pF
(Tester)
5670 drw 03
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
9
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