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参数资料
| 型号： | IDT70T659S10BC |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T659S10BC |
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HIGH-SPEED 2.5V
IDT70T651/9S
Features
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
256/128K x 36
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
access of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 8/10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70T651/9 easily expands data bus width to 72 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master,
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
Busy and Interrupt Flags
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Sleep Mode Inputs on both ports
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
Single 2.5V (±100mV) power supply for core
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Available in a 256-ball Ball Grid Array, 208-pin Plastic Quad
Flatpack and 208-ball fine pitch Ball Grid Array.
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
R/ W L
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
R/ W R
B B
E E
B B
E E
B B B B
E E E E
CE 0L
CE 1L
0 1
L L
2 3
L L
3 2 1 0
R R R R
CE 0R
CE 1R
Dout9-17_R
OE L
Dout0-8_L Dout0-8_R
Dout9-17_L
Dout18-26_L Dout18-26_R
Dout27-35_L Dout27-35_R
256/128K x 36
MEMORY
ARRAY
OE R
I/O 0L- I/O 35L
Di n_L
Di n_R
I/O 0R - I/O 35R
A 17L(1)
A 0L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A 17R(1)
A 0R
CE 0L
CE 1L
OE L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
OE R
CE 0R
CE 1R
TDI
TD O
JTAG
TC K
TMS
TRST
BUSY L (2,3)
R/ W L
LOGIC
R/ W R
BUSY R(2,3)
SEM L
INT L(3)
M/ S
SEM R
INT R(3)
ZZ L
(4)
ZZ
CONTROL
ZZ R
(4)
NOTES:
1. Address A 17x is a NC for IDT70T659.
LOGIC
2. BUSY is an input as a Slave (M/ S =V IL ) and an output when it is a Master (M/ S =V IH ).
3. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
4. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INT x, M/ S and the sleep
mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
1
?2009 Integrated Device Technology, Inc.
4869 drw 01
JANUARY 2009
DSC-5632/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T631S10BC | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| IDT70V659S15DR | IC SRAM 4MBIT 15NS 208QFP |
| 306-006-525-101 | CONN CARD EDGE 6POS .156 GREEN |
| 306-006-521-104 | CONN CARD EDGE 6POS .156 GREEN |
| 306-006-521-102 | CONN CARD EDGE 6POS .156 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T659S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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