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参数资料
| 型号： | IDT70T659S10BC |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 25/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T659S10BC |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Sleep Mode
Industrial and Commercial Temperature Ranges
The IDT70T651/9 is equipped with an optional sleep or low power
mode on both ports. The sleep mode pin on both ports is active high. During
normal operation, the ZZ pin is pulled low. When ZZ is pulled high, the
port will enter sleep mode where it will meet lowest possible power
conditions. The sleep mode timing diagram shows the modes of operation:
Normal Operation, No Read/Write Allowed and Sleep Mode.
For a period of time prior to sleep mode and after recovering from sleep
mode (t ZZS and t ZZR ), new reads or writes are not allowed. If a write or read
JTAG Timing Specifications
t JCYC
operation occurs during these periods, the memory array may be
corrupted. Validity of data out from the RAM cannot be guaranteed
immediately after ZZ is asserted (prior to being in sleep).
During sleep mode the RAM automatically deselects itself. The RAM
disconnects its internal buffer. All outputs will remain in high-Z state while
in sleep mode. All inputs are allowed to toggle. The RAM will not be selected
and will not perform any reads or writes.
t JF
t JCL
t JR
t JCH
TCK
Device Inputs (1) /
TDI/TMS
Device Outputs (2) /
t JS
t JH
t JDC
TDO
TRST
t JRSR
t JCD
x
5632 drw 23
t JRST
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, TCK and TRST .
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
JTAG AC Electrical
Characteristics (1,2,3,4,5)
70T651/9
3
Symbol
t JCYC
t JCH
t JCL
t JR
t JF
t JRST
Parameter
JTAG Clock Input Period
JTAG Clock HIGH
JTAG Clock Low
JTAG Clock Rise Time
JTAG Clock Fall Time
JTAG Reset
Min.
100
40
40
____
____
50
Max.
____
____
____
(1)
3 (1)
____
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t JRSR
t JCD
t JDC
t JS
t JH
JTAG Reset Recovery
JTAG Data Output
JTAG Data Output Hold
JTAG Setup
JTAG Hold
50
____
0
15
15
____
25
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. 30pF loading on external output signals.
3. Refer to AC Electrical Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at
any speed specified in this datasheet.
5. JTAG cannot be tested in sleep mode.
5632 tbl 20
25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T631S10BC | IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA |
| IDT70V659S15DR | IC SRAM 4MBIT 15NS 208QFP |
| 306-006-525-101 | CONN CARD EDGE 6POS .156 GREEN |
| 306-006-521-104 | CONN CARD EDGE 6POS .156 GREEN |
| 306-006-521-102 | CONN CARD EDGE 6POS .156 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T659S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BCI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BCI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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