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参数资料
| 型号： | IDT70V27S15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V27S15PF |
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Commercial and Industrial Temperature Range
AC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (4)
70V27X15
Com'l Only
70V27X20
Com'l & Ind
70V27X25
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t ABE
t AOE
t OH
t LZ
t HZ
t PU
t PD
t SOP
t SAA
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time (3)
Byte Enable Access Time (3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
Output High-Z Time (1,2)
Chip Enable to Power Up Time (2,5)
Chip Disable to Power Down Time (2,5)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
15
____
____
____
____
3
3
____
0
____
10
____
____
15
15
15
10
____
____
12
____
15
____
15
20
____
____
____
____
3
3
____
0
____
10
____
____
20
20
20
12
____
____
12
____
20
____
20
25
____
____
____
____
3
3
____
0
____
15
____
____
25
25
25
15
____
____
15
____
25
____
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3603 tbl 12a
70V27X35
Com'l & Ind
70V27X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t ABE
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time (3)
Byte Enable Access Time (3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
35
____
____
____
____
3
____
35
35
35
20
____
55
____
____
____
____
3
____
55
55
55
30
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t HZ
t PU
t PD
t SOP
t SAA
Output High-Z Time (1,2)
Chip Enable to Power Up Time (2,5)
Chip Disable to Power Down Time (2,5)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
____
0
____
15
____
20
____
45
____
45
____
0
____
15
____
25
____
50
____
65
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
5. Refer to Chip Enable Truth Table.
8
3603 tbl 12b
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