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参数资料
| 型号： | IDT70V27S55PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V27S55PF |
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (1,2,3) (con't.)
07/29/04
Commercial and Industrial Temperature Range
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
NC
NC
A 8L
A 5L
A 1L
INT L
V SS
BUSY R A 1R
A 5R
NC
NC
NC
B1
NC
C1
A 10L
D1
B2
NC
C2
A 9L
D2
B3
NC
C3
NC
D3
B4
A 6L
C4
A 7L
D4
B5
A 2L
C5
A 3L
D5
B6
NC
C6
NC
D6
B7
M/ S
C7
NC
D7
B8
INT R
C8
NC
D8
B9
A 2R
C9
A 3R
D9
B10
A 6R
C10
A 7R
D10
B11
NC
C11
A 9R
D11
B12
NC
C12
A 10R
D12
B13
NC
C13
A 11R
D13
A 14L
A 13L
A 12L
A 11L
A 4L
A 0L
BUSY L A 0R
A 4R
A 8R
A 12R
A 13R
A 14R
E1
LB L
F1
E2
NC
F2
E3
NC
F3
E4
F4
NC
E10
NC
F10
E11
NC
F11
E12
NC
F12
E13
LB R
F13
SEM L CE 1L
CE 0L
UB L
IDT70V27BF
UB R
CE 0R CE 1R SEM R
G1
V DD
H1
NC
J1
G2
V DD
H2
R/ W L
J2
G3
V DD
H3
OE L
J3
G4
NC
H4
NC
J4
BF144-1 (4)
144-Pin fpBGA
Top View (5)
G10
NC
H10
NC
J10
G11
NC
H11
OE R
J11
G12
V SS
H12
R/ W R
J12
G13
V SS
H13
V SS
J13
V SS
I/O 15L I/O 14L I/0 13L
I/O 13R I/O 14R I/O1 5R
V SS
K1
I/O 12L
K2
NC
K3
NC
K4
NC
K5 K6
I/O 6L I/O 3L
K7 K8
I/O 0R I/O 3R
K9 K10
I/O 6R I/O 11R
K11
NC
K12
NC
K13
I/O 12R
,
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
L10
L11
L12
L13
I/O 11L I/O 10L
NC
NC
I/O 5L
I/O 2L
V SS
V DD
I/O 5R
NC
NC
NC
I/O 10R
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
M9
M10
M11
M12
M13
I/O 9L
NC
NC
V DD
I/O 4L
V SS
I/O 0L
I/O 2R
I/O 4R I/O 7R
I/O 8R
NC
I/O 9R
N1
NC
N2
NC
N3
I/O 8L
N4
I/O 7L
N5
NC
N6
I/O 1L
N7
V DD
N8
I/O 1R
N9
NC
N10
V DD
N11
NC
N12
NC
N13
NC
3603 drw 02a
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to power supply.
2. All V SS pins must be connected to ground supply.
3. Package body is approximately 12mm x 12mm x 1.4mm.
Pin Names
Left Port
Right Port
Names
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
A 0L - A 14L
I/O 0L - I/O 15L
SEM L
UB L
LB L
INT L
BUSY L
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
A 0R - A 14R
I/O 0R - I/O 15R
SEM R
UB R
LB R
INT R
BUSY R
M/ S
V DD
V ss
Chip Enable
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Data Input/Output
Semaphore Enable
Upper Byte Select
Lower Byte Select
Interrupt Flag
Busy Flag
Master or Slave Select
Power (3.3V)
Ground (0V)
3603 tbl 01
3
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PDF描述 |
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| IDT7027S55PF | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V27S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V28L15PF | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V28L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V28L15PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V28L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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