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参数资料
| 型号： | IDT70V27S55PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V27S55PF |
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Truth Table I – Chip Enable (1,2,3)
Commercial and Industrial Temperature Range
NOTES:
CE
L
H
CE 0
V IL
< 0.2V
V IH
X
>V DD -0.2V
X
CE 1
V IH
>V DD -0.2V
X
V IL
X
<0.2V
Mode
Port Selected (TTL Active)
Port Selected (CMOS Active)
Port Deselected (TTL Inactive)
Port Deselected (TTL Inactive)
Port Deselected (CMOS Inactive)
Port Deselected (CMOS Inactive)
3603 tbl 02
1. Chip Enable references are shown above with the actual CE 0 and CE 1 levels, CE is a reference only.
2. Port "A" and "B" references are located where CE is used.
3. "H" = V IH and "L" = V IL
Truth Table II – Non-Contention Read/Write Control
Inputs (1)
Outputs
CE (2)
H
X
L
L
L
L
L
L
X
R/ W
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
I/O 8-15
High-Z
High-Z
DATA IN
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
DATA OUT
High-Z
I/O 0-7
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
DATA IN
High-Z
DATA OUT
DATA OUT
High-Z
Mode
Deselected: Power-Down
Both Bytes Deselected
Write to Upper Byte Only
Write to Lower Byte Only
Write to Both Bytes
Read Upper Byte Only
Read Lower Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
NOTES:
1. A 0L — A 14L ≠ A 0R — A 14R.
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
Truth Table III – Semaphore Read/Write Control
3603 tbl 03
Inputs (1)
Outputs
CE (2)
H
X
H
X
L
L
R/ W
H
H
↑
↑
X
X
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
I/O 8-15
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
______
______
I/O 0-7
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
______
______
Mode
Read Data in Semaphore Flag
Read Data in Semaphore Flag
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
Not Allowed
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O 0 and read from all the I/Os (I/O 0 -I/O 15 ). These eight semaphore flags are addressed by A 0 -A 2 .
2. Refer to Chip Enable Truth Table.
4
3603 tbl 04
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PDF描述 |
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| IDT7027S55PF | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V27S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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| IDT70V28L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V28L15PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V28L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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